華為投資的這項產業:能不能讓中國彎道超車？

如果說華為是對半導體紮根最深、布局最細的企業，應該沒人會有異議。

華為的哈勃投資，堪稱行業風向標。

從 2019 年 4
月成立哈勃投資至今，這家公司的足跡幾乎涉及半導體行業的每一個環節，第三代半導體，是其重點布局的領域之一。

11 月 15 日，華為投資的北京天科合達宣布成功研製出 “8 英寸碳化矽襯底
“，這項號稱第三代半導體行業中技術難度最高的襯底產品，此前僅有英飛淩、Wolfspeed、意法半導體等少數公司能夠掌握。

這是一個鼓舞人心的消息，在美國商務部工業安全局（BIS）宣布對出口管製進行針對性更新後，在第三代半導體領域國產替代方案的出現無疑會為中國的半導體產業注入一針強心劑。

倘若告訴你小到智能手機，大到超級計算機所使用的芯片都屬於 ” 第一代半導體 ”
的範疇，那麽你大概率會驚訝於國內的半導體行業發展水平—— ” 第三代半導體得厲害成什麽樣子？”

但如果把這則消息分享給國際第三代半導體巨頭們，他們可能會一頭霧水，根本不理解什麽是第三代半導體。

因為在國際上並沒有這個概念，所謂的 ” 第三代半導體 ” 的標準名稱是 ” 寬禁帶半導體 “。一位業內資深從業者告訴虎嗅，”
第三代半導體 ” 當初隻是國內為了方便政府招商領導記住所創造出的名詞。

” 第三代半導體與一、二代半導體之間不存在迭代關係，其應用場景也完全無法與第一代半導體相提並論。” 這位從業者表示。

當然，這並不代表第三代半導體沒有發展前景。實際上，第三代半導體如今已經出現較之前龐大的市場需求，尤其是在新能源汽車行業爆發後。

隻不過在這個名字之下，許多人認為它能夠解決中國芯片行業被 ” 卡脖子 ”
的問題，甚至被視為中國彎道超車的機會，因為第三代半導體並不需要使用先進製程——以此可以擺脫美國政府的單邊製裁。

但這個令資本、地方政府趨之若鶩的第三代半導體真能幫助中國芯片產業實現 ” 彎道超車 ” 嗎？

一個被 ” 誤解 ” 的名字

在回答這個問題之前，我們還需厘清下，國內對於半導體 ” 迭代 ” 究竟是如何定義的。

首先需要明確一個概念，所謂幾代半導體，是以襯底材料作為區分標準。我們日常生活中接觸到形態各異的芯片，是由晶圓切割後封裝而成，而晶圓製備包括襯底、外延兩大工藝環節，可以簡單地理解成襯底是加工一切芯片的基礎。

傳統意義上，矽基半導體被視為第一代半導體，目前人類社會中 95%
以上的芯片使用的材料仍然是單晶矽，由於材料價格便宜，且產業鏈十分成熟，短期內矽基半導體的占比不會發生太大變化。

第二代半導體則是由砷化镓、磷化銦材料為代表，這類化合物半導體具有高頻、抗輻射等特性，因此被應用在國防、航空航天、衛星通訊等領域。

至於本文提到的第三代半導體，其標準名稱應該為 ” 寬禁帶半導體
“，這類材料以碳化矽、氮化镓為代表，具有更高的禁帶寬度，適用於高溫、高壓、高功率場景。相比於單晶矽的便宜價格，第三代半導體使用的襯底價格昂貴，甚至會占到成本的將近
70%。

禁帶寬度是決定 ” 耐受高壓、通態電阻、導熱性能、耐高溫、耐輻射 ”
等性能的因素。在新能源汽車行業出現之前，第三代半導體的主要應用場景集中在 5G 基站、高鐵、光伏逆變器等領域。

它最大的優勢在於節能，公開信息顯示，高鐵上應用第三代半導體器件，能夠在減少動力係統體積的同時節能
20%；在光伏逆變器領域，可以降低 25% 以上的光電轉換損失；智能電網領域能夠提高 40% 以上供電效率並降低 60%
的電力損失。

如果這麽看，第三代半導體似乎和我們日常生活並沒有過多關聯。

的確，除了新能源汽車，在大多數情況下，第三代半導體的應用場景很難被人感知。而就目前來看，第三代半導體也完全不具備取代矽基半導體的能力。

以我們每天都會使用的智能手機為例，它的核心是處理器芯片及協處理器芯片，在分類上都屬於邏輯芯片，顧名思義，就是負責運算和邏輯判斷的芯片，這類芯片對於製程工藝的要求很高，比如我們經常能聽見的
“5nm 芯片 “”7nm 芯片 ” 等。

但就第三代半導體的發展情況來看，絕大部分還停留在 ” 微米級 ”
的製程工藝，而且它的特性更適合做功率器件，即電子裝置中，電能轉換與電路控製的核心，比如最簡單的二極管。

” 第三代半導體根本不適合做邏輯芯片。” 碳化矽行業公司綠能芯創董事長廖啟泊告訴虎嗅，”
碳化矽、氮化镓不會取代矽基，各有各的特性。”

因此，所謂靠第三代半導體解決先進製程被 ” 卡脖子 ” 的問題完全是無稽之談，也並不是彎道超車的機會。

但這是否意味著第三代半導體全無用武之地呢？

當然不是，由於第三代半導體材料具有耐高溫且導熱性能良好的特性，它被視為新能源汽車上功率器件的最佳替代品。

特斯拉是這個應用上，” 第一個吃螃蟹 ” 的企業。

中信證券曾在拆解特斯拉 Model 3 的研報中提到，Model 3 采用 48 顆 SiC MOSFET 替代了 84 顆
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），使體積、功耗大幅減小，為全車增加了續航裏程。

Model 3 是第一款在電機控製器中采用 SiC MOSFET 的電動車

這一裏程碑式的創新迅速在新能源廠商中傳播，一把火點燃了中國的第三代半導體行業。

” 特斯拉助推了中國第三代半導體在新能源汽車上的發展。” 一位在國內和國外從事多年半導體投資的投資人表示。

資本湧入，遍地開花

” 在 2019 年之前，國內第三代半導體產業並不存在投資過熱的問題，甚至可以說是非常慘。”
一位第三代半導體創業者表示。

實際上，中國對於第三代半導體材料的探索並不算晚。國際上，最早的商品碳化矽器件誕生於 90
年代。前述投資人表示，幾十年前，他在國外一家頭部半導體設備廠商工作時，他們就已經在看第三代半導體的項目了，彼時不投，是因為這個市場太小。這一點，在天嶽先進的故事中得到了印證。

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世紀初，山東大學晶體研究所的蔣民華院士就組建了碳化矽課題組開始攻關，並成功研製出碳化矽材料所需要的單晶爐，並掌握了碳化矽的加工技術，實現了從單晶生長爐製造、單晶生長、襯底加工和應用的全部國產化試驗。

2011 年 5
月，蔣民華院士逝世，由於碳化矽半導體此時並沒有成熟的市場作為支撐，鮮有企業願意承接這一項目，課題也因此一度中斷。此時，從事工程器械的宗豔民得知這一項目後，果斷購買了山東大學碳化矽材料技術，成立了山東天嶽先進科技股份有限公司，開始碳化矽材料技術的產業化研發。

幾乎在同一時間，北京泰科天潤半導體也開始第三代半導體的研製，並在次年開始產線建設工作。

此時國內的第三代半導體產業最顯著的特點是，幾乎完全是民間資本在驅動，官方少有介入。

很大程度上，正如前文所提到的，地方政府對於 ” 碳化矽 “” 氮化镓 ” 這些概念太過於陌生，這驅使當時的創業者們為 ”
寬禁帶半導體 ” 換上了 ” 第三代半導體 ” 這個存在歧義，但卻通俗易懂的名字。

2016
年，勢單力薄的創業者們迎來了第一縷曙光。國務院國家新產業發展小組將第三半導體產業列為發展重點，國內企業擴大第三半導體研發項目投資，行業正式進入快速發展期。虎嗅根據公開資料統計，2016
年上馬的第三代半導體項目有 11 個，平均投資金額上億元。

而特斯拉 Model 3 的發布，也為其他新能源車廠指明了方向：原來第三代半導體是這麽用的。Model3
上，特斯拉把全部矽基功率器件改用碳化矽器件。

” 在特斯拉之前沒有車廠想到用碳化矽來做替代。” 廖啟泊向虎嗅表示，盡管將全車的矽基功率器件換為碳化矽器件，成本上要貴 300
美元左右，但使用碳化矽器件後可以簡化水冷係統，在整車的總成本上反而會降低。對車廠來說是一樁更劃算的生意。

最重要的是，沒有一家車廠能夠拒絕續航裏程增加 5%-10% 的誘惑。

有了官方背書和增量市場，此時的國內第三代半導體產業實際上已經完成了從 ” 導入期 ” 到 ” 成長期 ”
的過渡，萬事俱備隻欠產業資本注入。

這項工作由華為挑起了大梁。2019 年 8
月，山東天嶽先進的首份融資名單中，華為旗下的哈勃投資名字赫然在列，站在當時的視角，彼時的華為正在醞釀一個龐大的造車計劃。

為了不再重蹈海思的覆轍，華為選擇從源頭培育供應鏈。在隨後 18 個月，哈勃投資陸續注資 7
家第三代半導體公司，其中既包括天嶽先進這樣的襯底片公司，也包括從事外延片生產的天域半導體，以及提供第三代半導體相關設備的蘇州晶拓。

華為帶給天嶽先進的影響是立竿見影的。在華為融資之前，天嶽先進的估值為 10 億元，而在短短一年後，這家公司的估值飆升至
100.95 億元。

更大的影響則是華為加快了整個行業的投資進度。第三方調研機構 CASA Research 的統計顯示，在 2018
年中國大陸共發生 4 起圍繞第三代半導體的投資，涉及金融 60 億，而到了 2019 年共有 14 起投資事件，涉及金額達 220.8
億元。

也是在這一時期，國內新能源車廠開始效仿特斯拉，將第三代半導體器件用於新車。2020 年，比亞迪漢 EV
車型下線，該車搭載了碳化矽 MOSFET 模塊，加速性能與續航顯著提升；2021 年，比亞迪唐 EV 加入碳化矽電控係統；2021 年
4 月，蔚來 ET7 搭載具備碳化矽功率模塊的第二代高效電驅平台。

由此，第三代半導體產業迎來真正的市場爆發階段。根據《2020″ 新基建 ”
風口下第三代半導體應用發展與投資價值白皮書》內容，2019 年我國第三代半導體市場規模為 94.15 億元，預計 2025
年市場規模將達到 623.42 億元。

地方政府更是大刀闊斧引進第三代半導體項目，遍地開花。根據第三方分析機構芯謀研究的文章分析，2020
年，我國各地方發布的第三代半導體相關政策就有數十條，覆蓋了超十個省（含直轄市）。

不過，在一片欣欣向榮的景象之下，國內第三代半導體企業似乎並未真正被市場所接納，海量投資換來的高光時刻似乎並未持續太久。

瘋狂過後的一地雞毛

” 哈勃投資曾主動考察過我們的項目，但這些項目還處於立項階段，我們都不知道該怎麽和哈勃的人講。”
一位業內人士向虎嗅表示，2021
年哈勃投資在全國範圍內搜集第三代半導體項目，讓許多矽基半導體企業也開始謀劃上馬碳化矽或是氮化镓項目。

但是，華為對於第三代半導體的熱忱在 2022 年年初戛然而止。

2022 年 2
月，哈勃投資入股特迪斯半導體，後者主要從事化合物半導體設備的研發與製造，而在此之後華為至今再未染指第三代半導體行業。

一位從事半導體行業研究人士向虎嗅表示，現階段國內第三代半導體產業的發展水平可能還無法滿足華為造車的需求，因此華為暫時停止了對產業的投資。

這裏我們可以拿比亞迪數據作為參考，在今年 6 月的一份交流紀要中，比亞迪披露了目前公司碳化矽器件的采購情況：在主要應用於車載
OBC（充電機）的大功率單管產品中，比亞迪經台灣漢磊代工，自供率實現 65%-70%，餘下由深圳埃斯科等廠商采購。

在碳化矽模塊芯片的采購上，70% 來自博世，20% 來自意法半導體，少數來自科銳（更名前的
Wolfspeed），而國內廠商無一家入選。

原因在於，目前碳化矽器件的成本端國外更有優勢。比亞迪方麵表示，科銳等市占率領先的大廠在良率上可以實現 75% 以上，國內的良率
55%-60% 左右。虎嗅就這一數字向業內人士求證，對方表示 ” 理想狀態下能夠達到 50%
的良率，而且隻有少部分國內廠商的產品能夠滿足車規級的穩定性要求 “。

雲岫資本合夥人兼首席技術官趙占祥表示，因為在第三代半導體上很多製造、器件、封裝、材料等工藝還沒有大規模使用，還有許多不成熟的地方，其次是在具體的市場應用上，還沒有各種細分市場中廣泛使用，生產工藝和市場應用上還需要花很多時間把他們做穩定。

第三代半導體屬於偏工藝端的產業，從設計難度來說，技術含量不高，難在工藝上。

由於第三代半導體的材質較為特殊，以碳化矽為例，它的莫氏硬度（一種礦物硬度標準）可以達到 9.5 級，僅次於金剛石（10
級），加工難度比矽基半導體要難得多。

廖啟泊向虎嗅表示，在碳化矽產業的芯片端，盡管有六七成的工藝流程與矽基半導體相同，但核心工序的加工條件完全不同：比如矽基芯片可以在常溫狀態下完成離子注入，碳化矽材料在這道工序上需要高溫。

而且，材料的硬度與脆性往往是呈正相關的，碳化矽材料極高的硬度也讓其在加工過程中存在碎片、卷曲的風險，因此在良率上遠不及矽基半導體。

導電型碳化矽襯底片，圖片來源：天嶽先進

顯然，矽基半導體產業的製造經驗很難直接套用在第三代半導體產業上，但國外在該領域商品化起步較早，因此在良率及成本上控製較好。

此外，國外的行業巨頭們目前都掌握了一定的準入門檻：如意法半導體的應用經驗與封裝，Wolfspeed 的 8
英寸產品開發能力，英飛淩和羅姆的設計能力，還有安森美的垂直整合。短時間內，國內半導體公司還很難與海外巨頭相競爭。

第三方研究機構 Yole 的統計數據顯示，在 2021 年，上述五家企業已經掌握全球 88%
的碳化矽市場份額。在氮化镓行業中，市場也基本被富士、東芝、飛利浦等國外廠商所主導。

而在技術與工藝的差距之外，國內對於第三代半導體應用端的開發也較為滯後。

” 特斯拉 Model 3 改用全車碳化矽讓中國的車企有了一個借鑒的起點，類似這種應用端的創新國內是需要補足的。”
廖啟泊向虎嗅表示，包括碳化矽在內的第三代半導體產業，其實在國內有很大的增量市場。

以光伏逆變器產業為例，中國擁有全球最大的三家光伏逆變器企業：陽光電源、華為智能光伏、錦浪科技，近年來這些企業正逐步將矽基
IGBT 換為能量傳導效率更高的碳化矽器件，另據第三方產業研究機構前瞻產業研究院的統計，僅國內的光伏逆變器市場，目前的產業規模就高達
460 億元。

如果未來國內第三代半導體的應用端能夠打開市場，那麽即使技術不及國外巨頭，但至少在成本上一定會有所降低。一位資深從業人士向虎嗅透露，在半導體行業中，通常情況下，如果產能提高一倍，成本至少能夠下降
18%。

不過，就目前來看，行業內針對第三代半導體的投資已經有收緊的勢頭。一位業內人士說，他觀察到，今年和他接觸的地方政府已經不怎麽簽大型的半導體項目了，反而開始關注一些光伏之類的項目。

而多位投資人和業內人士都向虎嗅證實，盡管第三代半導體在前兩年遍地開花，成為地方政府眼中的香餑餑，但真正做起來的項目寥寥。”
他們對外宣稱金額總是很大。” 一位業內人士表示。

另外，一些項目立項之後，往往由於各種原因中途夭折，例如對材料的掌握遠遠不足、對工藝的把握遠遠不夠，等等，還有更關鍵的問題就是買不到設備。

一位業內人士向虎嗅透露，第三代半導體在芯片端的設備以二手的六寸線設備為主，其中部分核心設備，如注入機、光刻機、刻蝕機、濺射台等，目前國內還不具備成熟的解決方案，而上述設備在國外也因產線升級而早早停產，因此無論是矽基半導體，還是第三代半導體，隻要是六英寸規格的設備，都需要在二手市場中淘換。

與此同時，過去幾年國內矽基半導體相關產能的數輪擴張，已經讓二手市場的六寸線設備所剩無幾，給第三代半導體行業的投建造成了阻礙。

寫在最後

由於矽基半導體與第三代半導體互補的特性，因此 ” 借助第三代半導體幫助國內半導體產業彎道超車 ” 的說法恐難成立。

至於國內相關企業能否在這一賽道中實現 ” 異軍突起
“，不可否認的是，新能源相關行業的出現給第三代半導體產業創造了崛起的條件，哈勃投資等產業基金的強勢進場緊接著又助推了一把，但無論是產業規模還是核心競爭力，都與國外巨頭相比仍有不小的差距。

不僅如此，多位業內人士都向虎嗅表達了一個觀點，許多在第三代半導體上耕耘的公司，市場集中度很高，核心還是在材料和工藝，沒有人願意把核心的工藝配方變成標準，交給代工廠。因此，很多時候，第三代半導體行業的頭部效應尤為明顯，且基本都是
IDM
的模式為主，留給創業公司的空間並不大。但業內人士同時表示，在一些特殊工藝或是器件上，還是會有一些能力很強的小公司，能夠找到生存的機會。

但不管怎麽樣，” 現在投資行業把第三代半導體這個東西炒得太熱了，很多創業企業的估值並不合理。”
一位資深半導體投資人認為，第三代半導體產業爆發的拐點可能比較接近，但遠沒到實現的時候。

這位投資人告訴虎嗅，半導體行業並不是一個能夠 ” 大力出奇跡 ”
的行業，相較於動輒幾百億的投資，第三代半導體產業更需要的是，用時間去解決產品與技術的難題。