作為全球NAND快閃記憶體市場的一哥，三星在3D快閃記憶體上又要領先其他廠商了，日前在三星技術論壇上，三星公布了第八代V-NAND的細節，堆棧層數超過200層，容量可達1Tbit，512GB容量的厚度也只有0.8mm，可用於手機。
三星的V-NAND快閃記憶體現在演員發展到了第七代V-NAND V7，堆棧層數176層，TLC版核心容量512Gbit，而即將推出的V-NAND V8層數將超過200——三星沒提到具體多少層，但之前的報導中指出是228層，提升30%左右，存儲密度提升了40%左右。
V-NAND V8快閃記憶體的單顆核心容量也從之前的512Gbit翻倍到了1Tbit，同時性能也更強，IO接口速率從2Gbps提升到了2.4Gbps，性能更適配最新的PCIe5.0標準。
得益於存儲容量更大. V-NAND V8快閃記憶體的厚度依然可以控制在合理水平，封裝512GB容量也不超過0.8mm，可以用於新一代智慧型手機。
在未來，三星的V-NAND快閃記憶體堆棧層數還會進一步提升，路線圖中的目標是超過500層，這被視為3D快閃記憶體的極限，不過三星還在想法突破，最終能製造1000層堆棧的3D快閃記憶體。
華客新聞 | 時事與歷史：三星在3D快閃記憶體上又一次超越了…
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