中國國內的記憶體製造商正競相生產高頻寬記憶體（HBM）晶片，但最大的DRAM製造商在HBM3技術方面遇到大阻礙。長鑫儲存在HBM3的生產方面遇到瓶頸，其HBM3記憶體是其第四代HBM解決方案，最初計劃於2026年上半年發布，但尚未接到任何量產訂單。
在中國，人工智能市場正以驚人的速度蓬勃發展，國內DRAM製造商目前正在推出首批HBM3解決方案的樣品，這些解決方案將與最新的人工智能晶片搭配使用。
據業內人士透露，長鑫儲存的HBM3記憶體目前仍處於測試階段。即使是HBM3所需的原料，目前也僅夠進行樣品生產，無法進行大規模量產。
有些人甚至指出，儘管長鑫儲存在HBM領域取得了快速進展，但其HBM3解決方案不太可能在今年內準備就緒。
此外，長電科技（JCET）發布基於2.5D堆疊技術的HBM3e封裝解決方案。此DRAM旨在實現單堆疊960GB/s的頻寬，並且相比前代產品，互連密度提高20%。長電科技自控的HBM3E方案的問題不在於設計，而在於其製造能力不足。因此，他們只能將技術外包進行生產。
中國HBM3晶片生產的延遲將給華為等國內人工智能晶片製造商造成暫時的瓶頸，他們將不得不依賴外部解決方案，或者推遲其下一代產品的發布，直到長鑫存儲等公司開始量產。
長鑫儲存在HBM3的生產方面遇到瓶頸，其HBM3記憶體是其第四代HBM解決方案，最初計劃於2026年上半年發布，但尚未接到任何量產訂單。 （路透社）
華客|新聞與歷史：中國龍頭，接不到訂單