進度嚴重落後，美方報告打臉北京宏偉藍圖

中國政府2015年提出「中國製造2025」計劃，希望將國內晶片自給率在2025年提升至70％，但受到美國技術制裁等因素影響，進度嚴重落後。如今中國半導體企業高層又訂出2030年達到半導體自給率80%目標，但最新調查發現，中國的半導體自給率在2024年僅33%。

根據「中國製造2025」計劃，北京當局希望將國內晶片自給自足率從不到10％提升至2020年達40％，並在2025年達70％，為此制定了一系列措施來實現這項政策，包括針對該行業增加國家投資，為晶片製造商提供稅收及各種激勵措施等。

但市場研究機構IC Insights在2021年發布報告指出，受限於美國技術制裁、設備限制及本土技術瓶頸，中國的半導體自給率達標進度嚴重落後。

中國在今年3月召開全國人大、政協“兩會”，並於會中通過了第15個5年計劃，提出科學技術的“自立自強” ，並將半導體定位為戰略領域，總理李強還疾呼，將把半導體培育為新興產業的支柱。

為了呼應政府政策，包括北方華創（NAURA）董事長趙晉榮、長江存儲（YMTC）董事長陳南翔、北方積體電路技術創新中心公司總經理康勁等13名半導體產業大老，近日在提出發展半導體產業的5年計劃，內容包括在美國建設技術的定位於20% 並加強給中國加緊控制的背景下，自建制於20%。

《路透》報道，上述5年計畫的具體作法包括，針對7納米半導體，打造全由國產製造設備的生產線並進行試運作，同時還將實現14納米半導體的穩定生產，而針對先進芯片製造不可或缺的極紫外光（EUV）微影機，希望打造“中國版艾司摩爾（ASMLML）

然而，中國要在2030年達成半導體自足率的目標顯然相當困難。美國市調業者國際商務策略公司（IBS）的數據顯示，根據中國企業在中國市場的供貨額計算出的半導體自足率，2024年僅33%。

北京公佈的「中國製造2025」計劃，希望將國內晶片自給率在2025年提升至70％，但受到美國制裁等因素影響，進度嚴重落後。但最新調查發現，中國的半導體自給率在2024年僅33%。 （路透社資料照）

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